200V/200mA 光耦合继电器,SMD-4
AB34F
SMD-4, 200V/ 200mA, Opto-MOS Relay
这是一颗使用SMD-4 的封装形式，耐电压200伏，耐电流200毫安培的半导体式小型光耦合继电器，供5000Vrms 的绝缘耐压。
光耦合继电器以光信号为媒介来实现电信号的耦合与传递，输入与输出相对于一般电气耦合的继电器具有更好的隔离度与抗干扰。因内部使用LED 驱动MOSFET 进行开关，无接点的设计让拓緯光耦合继电器成功克服传统机械式继电器与磁簧继电器接点碳化造成寿命表现不佳与电性不稳定等问题。
AB34F 由拓緯新竹厂在1K无尘室中制造。并从晶片设计到晶片切割、扩晶、固晶、打线、封装、测试皆在拓緯新竹厂内完成。
产品特性
- 小尺寸
- 长宽: 6.4mm*4.7mm
- 高: 3.4mm
- 无机械接点造就超长寿命
- 无机械接点造就无声运作
- 线性度表现佳
- 低失真
- 低耗电
- 低杂讯
- 高隔离
- 高绝缘性
接点形式
- 1 Form A
输入/输出间绝缘耐压(V)
- 3750
- 5000
交流/直流
- AC
- DC
耐电压(V)
- 200
耐电流(A)
- 0.2
封装形式
- SMD-4
导通电组(Ω)
- 4.2
同规格料号
此系列光耦合继电器产品拥有与下列品牌料号同等规格
- Toshiba: TLP220D
产品应用
- 电池管里系统(BMS)
- 电动车
- 半导体测试介面板
- 半导体测试机(ATE)
- 工业控制
- 量测仪器
- 感应仪器
- 保全相关消费性产品
- 电信设备
- 调制解调器
- 关联产品
200V/200mA 光耦合继电器,DIP-4
AB34
采DIP-4封装，可负载200伏电压，200毫安培电流，为输入输出绝缘耐压可达5000Vrms的光耦合继电器。光耦合继电器内部原理使用LED驱动MOSFET进行开关，寿命在正常使用下可长达数十年之久，成功避免传统机械式继电器与磁簧继电器接点碳化造成寿命表现不佳与电性不稳定等情况。拓緯晶片型继电器从晶片设计到晶片切割、扩晶、固晶、打线、封装、测试皆在拓緯新竹厂内完成，工厂拥ISO9001和IATF...
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200V/200mA 光耦合继电器,DIP-6
AA34
这是一颗A接点(1 Form A) 常开型光耦合继电器，耐电压为200伏，耐电流200毫安培，使用DIP-6封装。产品采无接点的设计，以LED驱动MOSFET进行开关，既可避免开关动作时发出噪音，更可以延长继电器的寿命(正常使用下长达数十年之久)。此产品由拓緯新竹工厂在1k无尘室生产及测试，工厂持有ISO9001及IATF16949认证。
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200V/180mA 光耦合继电器,SOP-4
AB34S
这是一颗A接点(1 Form A)常开型光耦合继电器，耐电压达180伏，耐电流达200毫安培并采用表面积为4.4mm*4.4mm的SOP-4封装形式。提供出色的绝缘性能，并采无接点设计，内部使用LED驱动MOSFET进行开关，可不断做开关动作至LED光衰，寿命在正常使用下可长达数十年之久，完全解决了传统机械式继电器接点碳化造成寿命表现不佳与电性不稳的问题。适用于高速测试讯号传输、量测设备、工业控制等应用。...
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200V/160mA 光耦合继电器,SOP-8
AC34S
此光耦合继电器采双通道常开(2 Form A)接点形式，耐电压达200伏，耐电流达160毫安培。使用SOP-8的封装形式以增加爬电距离，增强绝缘表面积，并提高产品耐用性。拓緯的光耦合继电器可确保高达5000Vrms的输入输出绝缘耐压。另外，因内部原理使用LED驱动MOSFET...
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