为什么晶片式的光耦合继电器会有漏电流？
半导体式光耦合继电器是没有机械接点的，它使用光驱动晶片进行开关，所以依然会有极微小的漏电流经过。再经过拓緯晶片设计部门的研发与优化后，我们推出一系列低漏流的光耦合继电器，漏电流低至1nA，几乎完全改善了漏电流的情况，让拓緯光耦合继电器兼顾了小体积、寿命与讯号完整性。
下列出最受量测市场欢迎的低漏流光耦合继电器:
- 45-pA Series: 60V/200mA
- 37-pA Series: 60V/550mA
- 47-pA Series: 80V/1.5A
- 30-pA Series: 400V/120mA
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60V/200mA 光耦合继电器,泄漏电流< 1nA
AB45-pA, AA45-pA, AC45-pA, AB45F-pA, AA45F-pA, AC45F-pA, AB45S-pA, AC45S-pA
此光耦合继电器耐电压60伏，耐电流200毫安培，泄漏电流< 1nA 。是专门为需要低泄漏电流的应用所设计。此系列拥有微型尺寸、高绝缘、无寿命限制、以及极低泄漏电流的特点，适用于自动测试设备(ATE)、半导体测试、量测设备、传感设备等。 可使用DIP-4/6/8、SMD-4/6/8、SOP-4/8封装。 全系列晶片式继电器从晶片设计到固晶、打线、封装、测试皆在拥ISO9001...
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60V/550mA 光耦合继电器,泄漏电流< 1nA
AB37-pA, AA37-pA, AC37-pA, AB37F-pA, AA37F-pA, AC37F-pA, AB37S-pA, AC37S-pA
此光耦合继电器耐电压60伏，耐电流550毫安培，泄漏电流<1nA。此系列拥有微型尺寸、无寿命限制、以及极低泄漏电流的特点，适用于自动测试设备(ATE)、半导体测试、量测设备、传感设备等。可使用DIP-4/6/8、SMD-4/6/8、SOP-4/8封装。 全系列晶片式继电器从晶片设计到固晶、打线、封装、测试皆在拥ISO9001...
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80V/1.5A 光耦合继电器,泄漏电流< 1nA
AB47-pA, AA47-pA, AC47-pA, AB47F-pA, AA47F-pA, AC47F-pA, AB47S-pA, AC47S-pA,
此光耦合继电器耐电流达1.5安培，耐电压80伏，泄漏电流< 1nA。此继电器采无机械接点设计，内部使用LED驱动MOSFET进行开关，可以一直开关动作直到LED光衰，寿命在正常使用下长达数十年之久，完全解决了传统机械式继电器接点碳化造成寿命表现不良与电性不稳等问题。 此低漏电流系列的封装形式有SMD4/6/9、DIP-4/6/9、和SOP-4/8的选择。 此半导体式光耦合继电器从晶片设计到晶片切割、固晶、打线、到封装、测试皆在拓緯拥有ISO9001...
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400V/120mA 光耦合继电器,泄漏电流< 1nA
AB30-pA, AA30-pA, AC30-pA, AB30F-pA, AA30F-pA, AC30F-pA, AB30S-pA, AC30S-pA
此光耦合继电器耐电流达120豪安培，耐电压400伏，泄漏电流< 1nA。全系列从晶片设计到晶片切割、扩晶、固晶、打线、到封装、测试皆在拓緯拥有ISO9001...
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