60V/1.2A 光耦合繼電器,DIP-6
AA27
DIP-6, 60V/1.2A Opto-MOS Relay
此光耦合繼電器可以負載1.2安培的電流，耐電壓達60V。使用 LED 驅動MOSFET進行開關，內部以 LED 發光來實現信號的耦合與傳遞，輸入輸出具有更好的隔離度與抗干擾，開關時間在 1ms 左右。
無接點的設計更讓此光耦合繼電器擁有超長的壽命。從晶片設計到晶片切割、固晶、打金線、到封裝、測試皆在拓緯擁有 ISO9001 與IATF16949認證的新竹廠1K等級無塵室中完成。
產品特性
- 小尺寸
- 長寬: 8.8mm*6.4mm
- 高: 3.4mm
- 無機械接點造就超長壽命
- 無機械接點造就無聲運作
- 線性度表現佳
- 低失真
- 低耗電
- 低雜訊
- 高隔離
- 高絕緣性
接點形式
- 1 Form A
輸入/輸出間絕緣耐壓 (V)
- 3750
- 5000
交流/直流
- AC
- DC
耐電壓 (V)
- 60
耐電流 (A)
- 1.2
封裝形式
- DIP-6
導通電組 (Ω)
- 0.2
產品應用
- 電池管裡系統 (BMS)
- 電動車
- 半導體測試介面板
- 半導體測試機 (ATE)
- 工業控制
- 量測儀器
- 感應儀器
- 保全相關消費性產品
- 電信設備
- 數據機
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60V/0.8A 光耦合繼電器,SMD-8
AC27F
這是一顆耐電流 0.8A，耐電壓 60V的半導體式光耦合繼電器。有別於機械式繼電器，無接點的設計讓此繼電器在正常負載下壽命不受限制。結合微型尺寸設計、高絕緣性、和良好線性度等特點，此繼電器適用於半導體測試、ATE、電池管理系統...
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60V/1A 光耦合繼電器,SOP-4
AB27S
這顆小型光耦合繼電器可以耐1安培的電流，耐電壓達 60V。體積小至4.4mm*4.3mm*2.0mm，採SOP封裝形式。除了微型尺寸設計，也結合了高絕緣性、和良好線性度等特點。此半導體式光耦合繼電器從晶片設計到晶片切割、固晶、打金線、到封裝、測試皆在拓緯擁有...
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