60V/1A 光耦合繼電器,DIP-4
AB27
DIP-4, 60V/1.2A Opto-MOS Relay
此小型半導體式光耦合繼電器耐電壓為 60V,耐電流為 1A,體積小至 6.4mm*4.7mm*3.4mm,採 DIP封裝形式 。
拓緯光耦合繼電器內部使用光做為傳輸訊號的媒介,避免做有機械接點的設計,以給予繼電器無限制的壽命。此半導體式繼電器從晶片設計到晶片切割、固晶、打金線、到封裝、測試皆在拓緯擁有ISO9001與IATF16949認證的新竹廠1K等級無塵室中完成。
產品特性
- 小尺寸
- 長寬: 6.4mm*4.7mm
- 高: 3.4mm
- 無機械接點造就超長壽命
- 無機械接點造就無聲運作
- 線性度表現佳
- 低失真
- 低耗電
- 低雜訊
- 高隔離
- 高絕緣性
接點形式
- 1 Form A
輸入/輸出間絕緣耐壓 (V)
- 3750
- 5000
交流/直流
- AC
- DC
耐電壓 (V)
- 60
耐電流 (A)
- 1.2
封裝形式
- DIP-4
導通電組 (Ω)
- 0.2
產品應用
- 電池管裡系統 (BMS)
- 電動車
- 半導體測試介面板
- 半導體測試機 (ATE)
- 工業控制
- 量測儀器
- 感應儀器
- 保全相關消費性產品
- 電信設備
- 數據機
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