60V/2A 光耦合繼電器,DIP8-6
AP70
DIP8-6, 60V/ 2A, Opto-MOS Relay
此光耦合繼電器可以附載2安培的電流同時承受60伏電壓。突波電流承受表現更可以到6安培，這樣的規格讓此繼電器最適用於保全設備消費性產品。DIP8-6的封裝方式增加了爬電距離，增大表面絕緣面積，增強耐用度。
此繼電器採無接點設計，內部使用LED驅動MOSFET開關，可以一直開關動作直到LED光衰，壽命在規格內使用可長達數十年之久。完全解決了傳統機械式繼電器接點碳化造成壽命表現不佳與電性不穩等問題。
拓緯的晶片型繼電器從晶片設計到晶片切割、擴晶、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有 ISO9001 與 IATF16949車規認證的新竹廠1K等級無塵室中完成。品質管控、供應鏈管理、成本控制、交期皆是優勢。
產品特性
- 小尺寸
- 長寬: 8.8mm*6.4mm
- 高: 3.4mm
- 無機械接點造就超長壽命
- 無機械接點造就無聲運作
- 線性度表現佳
- 低失真
- 低耗電
- 低雜訊
- 高隔離
- 高絕緣性
接點形式
- 1 Form B
輸入/輸出間絕緣耐壓 (V)
- 3750
- 5000
交流/直流
- AC
- DC
耐電壓 (V)
- 60
耐電流 (A)
- 2
封裝形式
- DIP8-6
導通電組 (Ω)
- 0.25
產品應用
- 電池管裡系統 (BMS)
- 電動車
- 半導體測試介面板
- 半導體測試機 (ATE)
- 工業控制
- 量測儀器
- 感應儀器
- 保全相關消費性產品
- 電信設備
- 數據機
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60V/2A 光耦合繼電器,DIP8-6
AP70
此光耦合繼電器可以附載2安培的電流同時承受60伏電壓。突波電流承受表現更可以到6安培，這樣的規格讓此繼電器最適用於保全設備消費性產品。DIP8-6的封裝方式增加了爬電距離，增大表面絕緣面積，增強耐用度。此繼電器採無接點設計，內部使用LED驅動MOSFET開關，可以一直開關動作直到LED光衰，壽命在規格內使用可長達數十年之久。完全解決了傳統機械式繼電器接點碳化造成壽命表現不佳與電性不穩等問題。拓緯的晶片型繼電器從晶片設計到晶片切割、擴晶、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有...
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60V/2A 光耦合繼電器,SMD8-6
AP70F
此光耦合繼電器可以附載2安培的電流，突波電流承受表現更可以到6安培，同時承受60伏電壓。這樣的規格讓此繼電器最適用於保全設備消費性產品。內部由LED...
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