Gleichstrom bis 18 GHz Einpoliger Vierfachwurf RF-MEMS-SchalterLieferant | Hersteller von hochwertigen Relais und Schaltern aus Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Dieser SP4T RF MEMS-Schalter ist so konzipiert, dass er hohe Frequenzen mit geringem Einfügedämpfung (3dB @ 18GHz), überragender Linearität (IP3 > 95dBm) und herausragender Zuverlässigkeit (über 3 Milliarden Schaltzyklen) bewältigt. Unsere innovative Technologie ermöglicht es diesem Schalter, mehr als 25W Vorwärtsleistung zu bewältigen. Darüber hinaus machen die Hochleistungsfähigkeiten von 4AX es zu einer geeigneten Lösung für geschaltete Filterbänke und abstimmbare Filter, Hochleistungs-RF-Front-Ends mit geringen Verlusten, RF-EM-Relaisersatz, Antennentuning, Antennenstrahlausrichtung und digitale Schritt-Dämpfer.
 
Der 4AX ist in einem LGA-Gehäuse konzipiert, was es einfach macht, es in Ihr Design zu integrieren. Der Abstand der Pad-Öffnung beträgt etwa 0,3 mm.
 
Kurz gesagt ist dieser SP4T RF MEMS-Schalter eine zuverlässige, leistungsstarke Option für jeden, der hochfrequente Signale mit geringem Einfügedämpfung und überlegener Linearität verwalten muss.B.T ist ein hochwertiger RF MEMS-Schalter, Opto-MOS-Relais, Opto-MOSFET-Relais, Reed-Relais und Solid-State-Relais-Hersteller aus Taiwan. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung in der Relaisfertigung ist Bright Toward auf die Herstellung verschiedener Arten von Relais spezialisiert. Seit 1988

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Gleichstrom bis 18 GHz Einpoliger Vierfachwurf RF-MEMS-Schalter

Gleichstrom bis 18GHz, SP4T RF MEMS-Schalter / Bright Toward Industrial Co., LTD. ist ein Hersteller von Solid-State-Relais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

Gleichstrom bis 18 GHz
Einpoliger Vierfachwurf
RF-MEMS-Schalter - Gleichstrom bis 18GHz, SP4T
RF MEMS-Schalter
  • Gleichstrom bis 18 GHz
Einpoliger Vierfachwurf
RF-MEMS-Schalter - Gleichstrom bis 18GHz, SP4T
RF MEMS-Schalter
Gleichstrom bis 18 GHz Einpoliger Vierfachwurf RF-MEMS-Schalter
4AX

Dieser SP4T RF MEMS-Schalter ist so konzipiert, dass er hohe Frequenzen mit geringem Einfügedämpfung (3dB @ 18GHz), überragender Linearität (IP3 > 95dBm) und herausragender Zuverlässigkeit (über 3 Milliarden Schaltzyklen) bewältigt. Unsere innovative Technologie ermöglicht es diesem Schalter, mehr als 25W Vorwärtsleistung zu bewältigen. Darüber hinaus machen die Hochleistungsfähigkeiten von 4AX es zu einer geeigneten Lösung für geschaltete Filterbänke und abstimmbare Filter, Hochleistungs-RF-Front-Ends mit geringen Verlusten, RF-EM-Relaisersatz, Antennentuning, Antennenstrahlausrichtung und digitale Schritt-Dämpfer.

 

Der 4AX ist in einem LGA-Gehäuse konzipiert, was es einfach macht, es in Ihr Design zu integrieren. Der Abstand der Pad-Öffnung beträgt etwa 0,3 mm.

 

Kurz gesagt ist dieser SP4T RF MEMS-Schalter eine zuverlässige, leistungsstarke Option für jeden, der hochfrequente Signale mit geringem Einfügedämpfung und überlegener Linearität verwalten muss.

Funktionen
  • DC bis 18 GHz, SP4T
  • 25 W (CW), 150 W (gepulst)
  • 20dB Isolation @ 18GHz
  • Hohe Linearität IP3 > 95 dBm
  • Niedriger Einschaltverlust @ 18GHz: 3 dB
  • Coff bei 15 fF
  • Hohe Zuverlässigkeit > 3 Milliarden Schaltvorgänge
  • 3,5mm*3,5mm*1,9mm LGA-Paket
Kontaktformular
  • SP4T (MEMS Switch)
Frequenz
  • 18 GHz
Leistungsaufnahme
  • 25W (CW) 150W (Pulsed)
Lastspannung (V)
  • 150
Lastspannung (A)
  • 0.5
Einschaltwiderstand (Ω)
  • 1
Einfügungsdämpfung
  • 1.0dB@ 6GHz
  • 3.0dB@ 18GHz
Rückflussverlust
  • 15dB@ 6GHz
  • 10dB@ 18GHz
Isolierung
  • 30dB@ 6GHz
  • 20dB@ 18GHz
ESD-Schutz
  • 250V
Anwendung
  • Geschaltete Filterbänke und abstimmbare Filter
  • Hochleistungs-RF-Front-Ends
  • Niederlust-Schaltmatrizen
  • RF EM Relais Ersatz
  • Antennentuning
  • Antennenstrahlausrichtung
  • Digitale Schritt-Dämpfer
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18GHz SP4T MEMS Switch Datenblatt
18GHz SP4T MEMS Switch Datenblatt

DC bis 18 GHz, Einpoliger Vierfachwurf, RF-MEMS-Schalter

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B.T - Gleichstrom bis 18 GHz Einpoliger Vierfachwurf RF-MEMS-Schalter Hersteller

Seit 1988 in Taiwan ansässig, ist Bright Toward Industrial Co., LTD. ein Lieferant und Hersteller von Relais. Zu den Hauptprodukten gehören Opto-MOSFET-Relais, Opto-SiC-MOSFET-Relais, Solid-State-Relais, Reed-Relais und RF-MEMS-Schalter.

B.T liefert seit über drei Jahrzehnten Relais an die Halbleiter- und Automobilindustrie weltweit und pflegt langfristige Partnerschaften mit OKITA Works mit Sitz in Japan, Menlo Microsystems mit Sitz in Kalifornien, JEL Systems mit Sitz in Japan und Teledyne Relays und Coax Switches mit Sitz in Kalifornien. Hauptmärkte sind die Halbleitertestung, ATE, BMS (Battery Management Systems), Industriemaschinen und die Elektrofahrzeugindustrie.

B.T bietet Kunden seit 1988 hochwertige Opto-MOSFET- und Opto-SiC-MOSFET-Relais an, sowohl mit fortschrittlicher Technologie als auch mit 30 Jahren Erfahrung. B.T stellt sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.