拓緯推出 3300V SiC 碳化矽光耦合 MOSFET 繼電器
積極鼓吹碳化矽(SiC)材質是功率電子元件產品的未來的拓緯實業(Bright Toward)，繼先前推出1,700與1,800伏(V)SiC MOSFET 系列功率元件後，又於日前推出能夠支援從電動車到太陽能逆變器等各種設備的新系列產品，進軍 33000 V 功率元件市場。此外，拓緯還擴大對SiC元件生產進行投資，以滿足可預見的市場需求和降低製造成本。
拓緯於 2017 年推出首款基於 SiC 材質的產品後，就一直在說服客戶捨棄原本採用的矽 (Si) 基元件，轉而改採SiC 元件。拓緯業務副總Alex表示，目前拓緯 SiC MOSFET 和其他功率元件客戶包括寧德時代 (CATL)、現代汽車 (Hyundai Motor)、福斯汽車 (Volkswagon)等。
1800V/ 3300V Opto SiC MOSFET Relay
AA53F是一款A接點常開且封裝為SMD6-5的SPST碳化矽光耦合繼電器，耐電壓高達3300V、耐電流達300mA。AS58則是一顆採用爬電距離 (Creepage Distance) > 8mm 的 SO-16 封裝形式的碳化矽光耦合繼電器。可負載高達1800伏電壓，耐電流30毫安培。
SiC 是一種寬能隙 (WBG) 半導體，擊穿電壓高達數千伏，並且能夠承受比矽基 MOSFET 更高的溫度(攝氏175度或以上)。SiC 元件在以更高頻率和效率運行時，也不會如同標準 IGBTs 和 MOSFETs 一樣出現不必要的損耗。SiC 在較高電壓下也具有較小的導通電阻 (on-state resistance)。這會使傳導損耗降低、具有更高的電流密度，和散發更多熱量。此外，SiC 還具有比一般 MOSFETs 和 IGBTs 更快的開關切換速度。
SiC 元件的採用會是未來趨勢。目前該元件除了在爭奪電動車核心的動力傳動 (powertrain) 裝置系統應用市場外，也在爭取贏得電動車車載充電器和直流-直流轉換器等裝置的設計取得。採用SiC元件有助於電動車單次充電續行里程提高5~10%，或是讓汽車製造業者能夠使用更小、更輕、成本更低的電池。
除電動車外，拓緯新款 SiC MOSFET Relay 也有助於將優點帶入工業和資料中心電源、太陽能逆變器、再生能源基礎設施，和馬達驅動器市場中。隨著減少碳足跡已成為各產業既定發展方向，為滿足預期將會湧現的SiC市場需求，拓緯正計劃持續投資來提高自家SiC產品產量。
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AA51
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA51F
此光耦合繼電器耐電壓達1200伏，耐電流為 470 毫安培，導通電阻為 0.6 Ohms，使用SMD6-5的封裝，是一顆高耐壓碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM51
採用DIP8-6封裝形式的AM51 為碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。能負載1200伏電壓，470毫安培電流，導通電阻為 0.6 Ohms....
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6
AM51F
A接點常開型的光耦合繼電器，耐電壓達1200伏，耐電流600mA，導通電阻為 0.6 ohms. 封裝於SMD8-6中的因而增加了爬電距離，增大表面絕緣面積，增強耐用度。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5
AA52
此光耦合繼電器能負載高達1700伏的電壓，耐電流350毫安培，導通電阻為 0.6 ohms. 為封裝於DIP6-5中的碳化矽半導體式光耦合繼電器。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力。採無機械接點設計，內部使用LED驅動碳化矽MOSFET進行開關，可以一直開關動作直到LED光衰，壽命在正常負載條件下使用下長達數十年之久，除了出色的崩潰電壓表現...
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1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA52F
能負載高達1700伏的AA52F，是一顆採用8.8mm*6.4mm SMD6-5封裝形式的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器，耐電流為350毫安培，導通電阻為...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5
AA53
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏的電壓，耐電流達300mA，為A接點常開型的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。使用8.8mm*6.4mm...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA53F
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏電壓，耐電流330毫安培，使用SMD6-5封裝形式，增加了爬電距離，增大表面絕緣面積，增強耐用度。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM53
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏的電壓，使用SMD6-5的封裝形式。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6
AM53F
此光耦合繼電器能負載高達3300伏的電壓，耐電流300毫安培，封裝於SMD8-6。使用碳化矽做為繼電器內部MOSFET材料。內部使用LED驅動碳化矽MOSFET開關，可以一直開關動作直到LED光衰，壽命在正常負載條件使用下長達數十年之久。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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採特殊封裝以增加爬電距離, 3000V/500mA 光耦合繼電器
AN53
此產品可負載高達3300伏的電壓，耐電流達500mA，為常開型的碳化矽半導體式光耦合繼電器。AN53使用特殊形式封裝，除了讓腳位能更容易取代磁簧繼電器，也大幅提升了絕緣性與耐電流。為了使繼電器的負載電壓能再提高，並確保於惡劣環境下繼電器的運作能不受影響，因此使用了碳化矽做為繼電器內部晶片的材料。此繼電器適用於逆變器、充電站、電動車的電池管理系統，可耐受濕度和溫度的大幅波動。全系列產品在1K無塵室條件下生產，工廠擁有...
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1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5
AA58
這是一顆可負載 1800V電壓的半導體式小型光耦合繼電器。內部的MOSFET由碳化矽為材料製成，因而大幅增加電壓負載能力與耐用度。為了避免機械接點，內部設計使用LED驅動...
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